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Si2305DS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
12
25 °C, unless otherwse noted
12
10
V GS = 4.5 thru 2.5 V
2V
10
T C = - 55 °C
25 °C
8
6
8
6
125 °C
4
2
0
1.5 V
1 V, 0.5 V
4
2
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.30
0.25
0.20
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
2000
1600
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
1200
0.15
V GS = 1.8 V
800
0.10
0.05
0
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
400
0
C oss
C rss
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
5
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.4
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
4
V DS = 4 V
I D = 3.5 A
V GS = 4.5 V
I D = 3.5 A
1.2
3
1.0
2
0.8
1
0
0.6
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - T otal Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 70833
S09-0133-Rev. E, 02-Feb-09
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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